Monocrystalline Silicon Wafer Si Substrate - Double-sided Polished Window N / P Type 2 4 6 8 Inches | Электроника



Сохраните в закладки:

Цена:RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Sounds Good Store

Sounds Good Store

Магазина Sounds Good Store работает с 16.07.2019. его рейтинг составлет 91.87 баллов из 100. В избранное добавили 1648 покупателя. Средний рейтинг торваров продавца 4.7 в продаже представленно 4000 наименований товаров, успешно доставлено 1927 заказов. 701 покупателей оставили отзывы о продавце.

Характеристики

Monocrystalline Silicon Wafer Si Substrate - Double-sided Polished Window N / P Type 2 4 6 8 Inches | Электроника

История изменения цены

*Текущая стоимость уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Apr-18-2026 0.88 руб. 0.92 руб. 0 руб.
Mar-18-2026 0.56 руб. 0.70 руб. 0 руб.
Feb-18-2026 0.93 руб. 0.61 руб. 0 руб.
Jan-18-2026 0.40 руб. 0.89 руб. 0 руб.
Dec-18-2025 0.12 руб. 0.7 руб. 0 руб.
Nov-18-2025 0.94 руб. 0.83 руб. 0 руб.
Oct-18-2025 0.4 руб. 0.48 руб. 0 руб.
Sep-18-2025 0.12 руб. 0.33 руб. 0 руб.
Aug-18-2025 0.45 руб. 0.70 руб. 0 руб.

Описание товара

Monocrystalline Silicon Wafer Si Substrate - Double-sided Polished Window N / P Type 2 4 6 8 Inches | Электроника


modname=ckeditor

 

Specification: single crystal, 50.8mm*0.4mm, transmission wavelength: 1200-14000nm, two-sided polishing, spot.

Material: high purity Si single crystal substrate, N/P type optional, resistivity: 0.0001-100 ohms, optional.

 

 

Other sizes can be customized

 

Growth mode: straight pull

Orientation: [111] / [100] / [110];

Flatness: <1 micron (measuring overall warpage)

Surface roughness: about 5 angstroms (measuring the surface micromorphology);

 

USES:

1, PVD/CVD coating as the substrate;

2. Used as the base for XRD(X-ray diffraction analysis), SEM(scanning electron microscope), AFM(atomic force microscope), FTIR infrared, fluorescence spectroscopy, etc.

3. Carrier of synchrotron radiation experiment samples;

4. Substrate of molecular beam epitaxy growth;

5, semiconductor lithography process, and so on

 

 


Смотрите так же другие товары: