Одинарная кристальная Кремниевая пластина/50*50 мм Si подложка/односторонняя



Сохраните в закладки:

Цена:12752.15RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Advanced Ceramic Esoterica

Advanced Ceramic Esoterica

Магазина Advanced Ceramic Esoterica работает с 23.10.2015. его рейтинг составлет 91.67 баллов из 100. В избранное добавили 617 покупателя. Средний рейтинг торваров продавца 4.8 в продаже представленно 1557 наименований товаров, успешно доставлено 143 заказов. 24 покупателей оставили отзывы о продавце.

Характеристики

Одинарная кристальная Кремниевая пластина/50*50 мм Si подложка/односторонняя

История изменения цены

*Текущая стоимость 12752.15 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Apr-16-2026 15175.98 руб. 15934.84 руб. 15554.5 руб.
Mar-16-2026 15047.33 руб. 15799.57 руб. 15423 руб.
Feb-16-2026 12624.60 руб. 13255.41 руб. 12939.5 руб.
Jan-16-2026 14792.50 руб. 15532.34 руб. 15162 руб.
Dec-16-2025 12880.28 руб. 13524.56 руб. 13202 руб.
Nov-16-2025 14537.22 руб. 15264.41 руб. 14900.5 руб.
Oct-16-2025 14410.41 руб. 15131.19 руб. 14770.5 руб.
Sep-16-2025 14282.32 руб. 14996.89 руб. 14639 руб.
Aug-16-2025 14155.91 руб. 14863.58 руб. 14509 руб.

Описание товара

Одинарная кристальная Кремниевая пластина/50*50 мм Si подложка/односторонняя


ОдиночныйБоковая полировка одинарного кристалла кремния

Технические характеристики:

Один кристалл, 50*50 мм.Коробка передач длина волны1200-14000nm.Односторонняя полировка, в месте.

Материал:

Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. N/P опционально.

Область применения:

1. PVD/CVD покрытие подложки

2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки

3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения

4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания

5. Процесс литографии полупроводников и так далее

12345678


Смотрите так же другие товары: