Одинарная кристальная Кремниевая пластина/двухсторонняя полированная



Сохраните в закладки:

Цена:5040RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

Одинарная кристальная Кремниевая пластина/двухсторонняя полированная

История изменения цены

*Текущая стоимость 5040 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Apr-17-2026 5998.97 руб. 6298.28 руб. 6148 руб.
Mar-17-2026 5947.99 руб. 6244.24 руб. 6095.5 руб.
Feb-17-2026 4990.32 руб. 5240.67 руб. 5115 руб.
Jan-17-2026 5846.26 руб. 6138.51 руб. 5992 руб.
Dec-17-2025 5090.14 руб. 5345.89 руб. 5217.5 руб.
Nov-17-2025 5746.83 руб. 6033.37 руб. 5889.5 руб.
Oct-17-2025 5695.59 руб. 5980.18 руб. 5837.5 руб.
Sep-17-2025 5645.50 руб. 5927.73 руб. 5786 руб.
Aug-17-2025 5594.58 руб. 5874.15 руб. 5734 руб.

Описание товара

Одинарная кристальная Кремниевая пластина/двухсторонняя полированнаяОдинарная кристальная Кремниевая пластина/двухсторонняя полированнаяОдинарная кристальная Кремниевая пластина/двухсторонняя полированная


Описание

Двухсторонняя полировка одинарного кристалла кремния

Характеристики:

Один кристалл,Двухсторонняя полировка, 12 дюймов

Материал:

Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. N/P опционально.

Использование:

1. PVD/CVD покрытие подложки

2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки

3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения

4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания

5. Процесс литографии полупроводников и так далее

12345678



Смотрите так же другие товары: