Новое поступление
Характеристики
*Текущая стоимость 5040 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"
| Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость | Цена |
|---|---|---|---|
| Apr-17-2026 | 5998.97 руб. | 6298.28 руб. | 6148 руб. |
| Mar-17-2026 | 5947.99 руб. | 6244.24 руб. | 6095.5 руб. |
| Feb-17-2026 | 4990.32 руб. | 5240.67 руб. | 5115 руб. |
| Jan-17-2026 | 5846.26 руб. | 6138.51 руб. | 5992 руб. |
| Dec-17-2025 | 5090.14 руб. | 5345.89 руб. | 5217.5 руб. |
| Nov-17-2025 | 5746.83 руб. | 6033.37 руб. | 5889.5 руб. |
| Oct-17-2025 | 5695.59 руб. | 5980.18 руб. | 5837.5 руб. |
| Sep-17-2025 | 5645.50 руб. | 5927.73 руб. | 5786 руб. |
| Aug-17-2025 | 5594.58 руб. | 5874.15 руб. | 5734 руб. |
Описание товара



Двухсторонняя полировка одинарного кристалла кремния
Характеристики:
Один кристалл,Двухсторонняя полировка, 12 дюймов
Материал:
Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. N/P опционально.
Использование:
1. PVD/CVD покрытие подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки
3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс литографии полупроводников и так далее








Смотрите так же другие товары: